量子点阵列用维度来改变体系的特征，零维、一维、二维量子点阵列构成独特的基于量子特性纳米电子器件或纳米结构材料。对于量子点阵列，格林函数可以用来计算电子波对外界激励（例如外加偏压）和内部激励（例如各类粒子散射）的电流响应，将这些响应相加即可得到器件的电流响应。
我们采用非平衡格林函数方法模拟一维纳米粒子阵列的电学特性。在数值模拟中有目的地改变量子点粒径、量子点之间距离等材料参数设计优化的量子点阵列结构，最终获得理想的量子器件电学特性。结果表明，金纳米颗粒链的电学特性与其耦合参数有直接的关系，在系统处于正偏和反偏电压时系统含有不同的电荷分布。理论计算较好地说明实验电学曲线的不对称特性。
Fig.3 The comparison of tunneling current for 8 quantum dot array with calculated data and experimental data
Fig.4 The charge of electron for N+2 quantum dots
Wei Wang, Jianhui Liao, Jianping Sun, Ning Gu, Simulation of the electrical characteristics of a one-dimensional quantum dot array, Superlattices and Microstructures, 44 (2008), pp 721-727
